SCALE-iDriver IC ファミリー


SCALE-iDriver について説明します。

IGBT と MOSFET と SiC MOSFET の両方を駆動するために最適化されたゲート ドライバ IC の SCALE-iDriver™ ファミリーは、Power Integrations の先進的な FluxLink™ 磁気誘導双方向通信技術を 1200 V 及び 1700 V ドライバ アプリケーションに採用した最初の製品です。

  • FluxLink 技術を使用すると、寿命の短いオプト電子部品及びそれに関連する補償回路が不要になるため、システムの複雑さを軽減しながら動作上の安定性を向上できます。
  • 高度なシステムの安全性保護機能によって、一般的な中電圧及び高電圧のアプリケーションで製品の信頼性がさらに高まります。
  • 革新的な eSOP パッケージは、沿面距離が 9.5 mm、比較トラッキング指数 (CTI) が 600 という特徴をもち、十分な動作電圧マージン及びシステムの高信頼性を保証します。
  • シリコン カーバイド (SiC) MOSFET ゲート ドライバ ICは、外部ブースト ステージを必要とせず、最高のピーク出力ゲート電流を提供する高効率でシングルチャネルの SiC MOSFET ゲート ドライバです。現在の SiC MOSFET に必要とされるさまざまなゲートドライブ電圧をサポートするように構成できます。
  • AEC-Q100 認定自動車用の SCALE-iDriver IC ジャンクション温度 125°C で最大 8 A のドライブ電流を出力することができ、ブースター回路がなくても、600、650、750、1200V IGBT 及び SiCを使用した最大数百 kW の インバータ設計をサポートします。

SiC MOSFET ゲート ドライバ IC

製品データ
シート
出力
電流 (A)
強化絶縁最大
ブロック電圧 (V)
スイッチング
周波数 (kHz)
代表的な応用例
SIC1182K8600-1200150サーボ ドライブ
UPS
PV/ 太陽光
溶接
産業用EV
医療用装置

AEC-Q100認定自動車用

製品デー

ート
出力
電流
(A)
強化絶縁最
ブロック
電圧 (V)
スイッチン
周波数
(kHz)
代表的な応用例
SID1132KQ
SID1181KQ
SID1182KQ


2.5
8
8
600-120075EVのパワートレイン
EVのオンボード チャージャー
ドライバ及びインバータ

IGBT/MOSFET ゲート ドライバ IC

製品データ
シート
出力
電流 (A)
最大ブロック
電圧 (V)
スイッチング
周波数 (kHz)
代表的な応用例
SID1102K5600-1200
(強化絶縁)
75UPS
商用 AC
VFD
溶接
DC 充電器
SID1151K
SID1181K
5
8
1200/650
(基礎/強化絶縁)
75サーボ ドライブ
AC ドライブ
PV/ 太陽光
配送車
EV バス
医療用装置
SID1112K
SID1132K
SID1152K
SID1182K
1
2.5
5
8
600-1200
(強化絶縁)
75サーボ ドライブ
AC ドライブ
PV/ 太陽光
配送車
EV バス
医療用装置

IGBT ゲート ドライバ IC

製品データ
シート
出力
電流 (A)
基礎絶縁最大
ブロック電圧 (V)
スイッチング
周波数 (kHz)
代表的な応用例
SID1183K8170075MVD
690V ACドライブ