アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) と 1200 V までの強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET ゲート ドライバ
標準的なアプリケーション回路図
データ シート
SIC1182K Data Sheet
Up to 8 A Single Channel SiC MOSFET Gate Driver Providing Advanced Active Clamping and Reinforced Isolation Up to 1200 V
製品詳細
SIC1182K は、SiC MOSFET 向けの シングル チャンネル ゲート ドライバ（パッケージ：eSOP-R16B） です。強化ガルバニック絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink によって実現されます。最大 ±8 A のピーク出力ドライブ電流により、最大定格電流 600 A (標準) のデバイ���を駆動できます。
一次側及び二次側の低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
さらに、このゲート ドライバ IC には、一つのセンス ピンで実現できるアドバンスト アクティブ クランプ (ターンオフ時) という新機能があり、短絡保護 (ターンオン時及びその期間) 及び過電圧制限と組み合わせることができます。駆動される半導体に電流センス端子がある場合は、調整可能な過電流検出機能をサポートします。
用途
主な特長
高集積化、コンパクトな実装
- 600 V/650 V/1200 V の SiC MOSFET スイッチに最適
- ±8 A のピーク ゲート出力電流
- 強化絶縁を実現する内蔵 FluxLink™ 技術
- アドバンスト アクティブ クランプ
- 一次側及び二次側の UVLO
- 過電流異常ターンオフ
- 短絡電流異常ターンオフ
- レイルツーレイルの安定出力電圧
- 二次側 単一電圧動作
- 最大 150 kHz のスイッチング周波数
- ±5 ns の伝搬遅延ジッター
- -40 ℃ ～ +125 ℃の動作周囲温度
- 優れたコモンモード過渡耐性
- 9.5 mm の沿面及び空間距離を実現する eSOP パッケージ
保護／安全機能
- フィードバック異常を含む一次側及び二次側の低電圧ロックアウト保護
- 電流センス端子による SiC MOSFET の過電流検出
- 超高速短絡監視機能
- ターンオフ過電圧制限 (アドバンスト アクティブ クランプ)
安全規格及び規制準拠
- 生産ラインでの 100% 部分放電試験
- 生産ラインでの HIPOT 100% 準拠試験
- 強化絶縁は VDE 0884-10 規格認定
- UL 1577 承認保留中
グリーン パッケージ
- ハロゲン化合物不使用、RoHS 指令適合
用途
- 汎用ドライブ及びサーボ ドライブ
- UPS、PV （太陽電池）、溶接用インバーター、及び電源
- その他の産業用用途
出力電力
| 製品1 | ピーク出力ドライブ電流 |
|---|---|
| SIC1182K | 8 A |
注:
- パッケージ - K: eSOP-R16B。
製品ドキュメント
設計例
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製品イメージ
