アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) と 1200 V までの強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET ゲート ドライバ 標準的なアプリケーション回路図 ビデオ 製品デモ Introduction to SCALE-iDriver データ シート SIC1182K Data Sheet Up to 8 A Single Channel SiC MOSFET Gate Driver Providing Advanced Active Clamping and Reinforced Isolation Up to 1200 V (1.23 MB) PDF をダウンロード PDF を表示 製品詳細 SIC1182K は、SiC MOSFET 向けの シングル チャンネル ゲート ドライバ(パッケージ:eSOP-R16B) です。強化ガルバニック絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink によって実現されます。最大 ±8 A のピーク出力ドライブ電流により、最大定格電流 600 A (標準) のデバイ���を駆動できます。一次側及び二次側の低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。さらに、このゲート ドライバ IC には、一つのセンス ピンで実現できるアドバンスト アクティブ クランプ (ターンオフ時) という新機能があり、短絡保護 (ターンオン時及びその期間) 及び過電圧制限と組み合わせることができます。駆動される半導体に電流センス端子がある場合は、調整可能な過電流検出機能をサポートします。用途 主な特長 高集積化、コンパクトな実装600 V/650 V/1200 V の SiC MOSFET スイッチに最適±8 A のピーク ゲート出力電流強化絶縁を実現する内蔵 FluxLink™ 技術アドバンスト アクティブ クランプ一次側及び二次側の UVLO過電流異常ターンオフ短絡電流異常ターンオフレイルツーレイルの安定出力電圧二次側 単一電圧動作最大 150 kHz のスイッチング周波数±5 ns の伝搬遅延ジッター-40 ℃ ~ +125 ℃の動作周囲温度優れたコモンモード過渡耐性9.5 mm の沿面及び空間距離を実現する eSOP パッケージ保護/安全機能フィードバック異常を含む一次側及び二次側の低電圧ロックアウト保護電流センス端子による SiC MOSFET の過電流検出超高速短絡監視機能ターンオフ過電圧制限 (アドバンスト アクティブ クランプ)安全規格及び規制準拠生産ラインでの 100% 部分放電試験生産ラインでの HIPOT 100% 準拠試験強化絶縁は VDE 0884-10 規格認定UL 1577 承認保留中グリーン パッケージハロゲン化合物不使用、RoHS 指令適合用途汎用ドライブ及びサーボ ドライブUPS、PV (太陽電池)、溶接用インバーター、及び電源その他の産業用用途出力電力 製品1ピーク出力ドライブ電流SIC1182K8 A注:パッケージ - K: eSOP-R16B。 製品ドキュメント General Package Information Moisture Sensitivity Level (MSL) Packaging Information 設計例 RDHP-1901 - General Purpose Base Board for SCALE-iDriver SIC1182KRDHP Available Related Products SIT12xxI 製品イメージ
SIC1182K Data Sheet Up to 8 A Single Channel SiC MOSFET Gate Driver Providing Advanced Active Clamping and Reinforced Isolation Up to 1200 V (1.23 MB) PDF をダウンロード PDF を表示