SIC1182K

アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) と 1200 V までの強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET ゲート ドライバ

標準的なアプリケーション回路図

データ シート

製品詳細

SIC1182K は、SiC MOSFET 向けの シングル チャンネル ゲート ドライバ(パッケージ:eSOP-R16B) です。強化ガルバニック絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink によって実現されます。最大 ±8 A のピーク出力ドライブ電流により、最大定格電流 600 A (標準) のデバイスを駆動できます。

一次側及び二次側の低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

さらに、このゲート ドライバ IC には、一つのセンス ピンで実現できるアドバンスト アクティブ クランプ (ターンオフ時) という新機能があり、短絡保護 (ターンオン時及びその期間) 及び過電圧制限と組み合わせることができます。駆動される半導体に電流センス端子がある場合は、調整可能な過電流検出機能をサポートします。

用途

主な特長

高集積化、コンパクトな実装

  • 600 V/650 V/1200 V の SiC MOSFET スイッチに最適
  • ±8 A のピーク ゲート出力電流
  • 強化絶縁を実現する内蔵 FluxLink™ 技術
  • アドバンスト アクティブ クランプ
  • 一次側及び二次側の UVLO
  • 過電流異常ターンオフ
  • 短絡電流異常ターンオフ
  • レイルツーレイルの安定出力電圧
  • 二次側 単一電圧動作
  • 最大 150 kHz のスイッチング周波数
  • ±5 ns の伝搬遅延ジッター
  • -40 ℃ ~ +125 ℃の動作周囲温度
  • 優れたコモンモード過渡耐性
  • 9.5 mm の沿面及び空間距離を実現する eSOP パッケージ

保護/安全機能

  • フィードバック異常を含む一次側及び二次側の低電圧ロックアウト保護
  • 電流センス端子による SiC MOSFET の過電流検出
  • 超高速短絡監視機能
  • ターンオフ過電圧制限 (アドバンスト アクティブ クランプ)

安全規格及び規制準拠

  • 生産ラインでの 100% 部分放電試験
  • 生産ラインでの HIPOT 100% 準拠試験
  • 強化絶縁は VDE 0884-10 規格認定保留中
  • UL 1577 承認保留中

グリーン パッケージ

  • ハロゲン化合物不使用、RoHS 指令適合

用途

  • 汎用ドライブ及びサーボ ドライブ
  • UPS、PV (太陽電池)、溶接用インバーター、及び電源
  • その他の産業用用途

出力電力

製品1ピーク出力ドライブ電流
SIC1182K8 A

注:

  1. パッケージ - K: eSOP-R16B。

製品ドキュメント

製品イメージ