データ シート


SID1181KQ データ シート
ブロッキング電圧 600 V/650 V/750 V の強化絶縁に対応した最大8 A の車載アプリケーション用シングルチャンネル IGBT/MOSFETゲートドライバ
ECAD Models


製品詳細
SID11xxKQ は、eSOP パッケージに組み込まれたシングル チャンネル IGBT 及び MOSFET ドライバです。強化絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink によって実現されます。8 A のピーク出力ドライブ電流により、アクティブ部品を追加せずに最大 600 A (標準) までの IGBT 及び MOSFET を駆動できます。SID11xxKQ 単独で駆動できるドライブ容量を超える場合は、外部アンプ (ブースター) を追加することもできます。ゲート制御のための安定した正負の電圧は、一つの単極絶縁電圧によって供給されます。
アドバンストソフト シャット ダウン (ASSD) を含む短絡保護 (DESAT)、一次側及び二次側のための低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
コントローラ (PWM と異常) 信号は 5 V CMOS ロジックに対応し、外部の抵抗分割回路を使用して 15 V レベルに制御することもできます。
用途
主な特長
高集積化、実装スペースの小型化
- 最大 8 A ピーク ドライブ電流を供給する分割出力
- 一次側-二次側間の安全な絶縁を実現する内蔵 FluxLink? 技術
- レイルツーレイルの安定出力電圧
- 二次側に対して単一電圧動作
- 600 V/650 V/750 V/1200 V の IGBT スイッチ及び MOSFET スイッチに最適
- 最大 75 kHz のスイッチング周波数
- 260 ns の伝搬遅延時間
- ±5 ns の伝搬遅延ジッター
- -40 ℃ ~ 125 ℃の動作周囲温度
- 優れたコモンモード過渡耐性
- 9.5 mm の沿面及び空間距離に対応した eSOP パッケージ
優れた保護/安全特性
- 一次側及び二次側の低電圧ロックアウト (UVLO) 保護と異常フィードバック
- VCESAT モニタリングと異常フィードバックを使用した短絡保護
- アドバンスト ソフト シャット ダウン (ASSD)
安全規格及び規制に完全に準拠
- 部分放電試験 100% 対応
- 6 kV RMS (1 秒) HIPOT 100% 対応
- VDE 0884-10 認定の強化絶縁
- AEC-Q100 認定により自動車グレード レベル 1 を実現
グリーン パッケージ
- ハロゲン化合物不使用、RoHS 指令適合
製品ポートフォリオ
製品1 | ピーク出力ドライブ電流 | 最大過渡絶縁電圧 |
---|---|---|
SID1132KQ | 2.5 A | 8000 V |
SID1181KQ | 8.0 A | 6000 V |
SID1182KQ | 8.0 A | 8000 V |
注:
- パッケージ - K: eSOP-R16B。