SID11xxKQ

최대 1200V 블로킹 전압의 강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 자동차 애플리케이션용 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버

일반 애플리케이션 회로도

데이터 시트

SID11x2KQ 제품군

최대 1200V 블로킹 전압의 강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 자동차 애플리케이션용 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버
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SID11xxKQ

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제품 상세 정보

SID11xxKQ는 eSOP 패키지의 단일 채널 IGBT 및 MOSFET 드라이버입니 다. 강화된 갈바닉 절연 성능은 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 혁신적인 고체 절연물 FluxLink 기술에 의해 제공됩니다. 8A의 피크 출력 드라이브 전류 덕분에 추가적인 부품 없이도 최대 600A(기본값)로 IGBT 및 MOSFET을 구동하는 제품을 제작할 수 있습니다. SID11xxKQ의 단독 용량을 초과하는 게이트 드라이브 요건의 경우, 외장 증폭기(부스터)를 추가할 수도 있습니다. 하나의 유니폴라 절연 전압 소스가 게이트 제어를 위한 안정적인 플러스 및 마이너스 전압을 제공합니다.

ASSD(Advanced Soft Shut Down)를 사용한 회로 단락 보호(DESAT), 1차측 및 2차측의 저전압 록아웃(UVLO), 온도 및 프로세스 보정 출력 임피 던스를 갖는 rail-to-rail 출력 등의 추가 기능은 혹독한 상황에서도 안전한 작동을 보장합니다.

컨트롤러(PWM 및 고장) 신호는 5V CMOS 로직과 호환되며, 외부 저항 분배기를 사용할 경우 전압이 15V 수준까지 조정될 수도 있습니다.

애플리케이션

제품의주요특징

높은 집적도, 작은 공간

  • 출력을 분할하여 최대 8A의 피크 드라이브 전류 제공
  • 통합 FluxLink™ 기술로 1차측과 2차측 간 안전한 절연 성능 제공
  • Rail-to-rail 안정된 출력 전압
  • 2차측을 위한 유니폴라 공급 전압
  • 600V/650V/750V/1200V IGBT 및 MOSFET 스위치에 적합
  • 최대 75kHz 스위칭 주파수
  • 260ns의 짧은 전파 지연 시간
  • 전파 지연 지터 ±5ns
  • -40 ~ +125°C의 작동 주변 온도
  • 높은 커먼 모드 과도 응답 내성
  • 9.5mm의 연면거리 및 공간거리를 갖는 eSOP 패키지

고급 보호 및 안전 기능

  • 1차측 및 2차측의 저전압 록아웃(UVLO) 보호와 고장 피드백
  • VCESAT 모니터링을 통한 회로 단락 보호 기능과 고장 피드백
  • ASSD(Advanced Soft Shut Down)

높은 안전성 및 규정 준수

  • 100% 생산 부분 방전 테스트
  • 6kV RMS 1초에서 100% 생산 HIPOT 준수 테스트
  • VDE 0884-10을 충족하는 강화된 절연 성능
  • AEC Q-100 인증 획득(자동차용 1등급)

친환경 패키지

  • 할로겐 프리 및 RoHS 준수

제품 포트폴리오

제품1피크 출력 드라이브 전류최대 과도 절연 전압
SID1132KQ2.5 A8000 V
SID1181KQ8.0 A6000 V
SID1182KQ8.0 A8000 V

참고:

  1. 패키지 - K: eSOP-R16B.

제품 문서

Articles and Whitepapers

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