SID11x2KQ

汽车专用可提供加强绝缘的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器

典型应用基本原理图

数据手册

产品详情

SID11x2KQ是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。该器件利用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其8 A峰值输出驱动电流可直接驱动600 A(典型值)的IGBT和MOSFET,而无需使用外置推动级。对于超出SID11x2KQ的最大输出电流的门极驱动要求,可以在外部添加一个放大器(推动级)。稳定的门极正负电压由一个单绕组隔离电压源提供。

该器件还具有带高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT)、用于原方和副方的欠压保护(UVLO)以及带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多功能,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。

控制器(PWM和故障)信号兼容5 V CMOS逻辑电平,使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15 V。

应用概述

主要特征

高度集成,外形紧凑

  • 独立的门极开通和关断管脚,可提供8 A峰值驱动电流
  • 集成的FluxLink技术为原方与副方提供可靠绝缘
  • 轨到轨输出电压且稳压
  • 副方单电源供电
  • 适合600V/650V/1200V IGBT和MOSFET功率开关
  • 开关频率最高至75kHz
  • 传输延迟时间非常短,仅为260 ns
  • ±5 ns传输延迟抖动
  • -40°C至125℃工作环境温度
  • 具有较高的共模瞬态抗扰性
  • 采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装

先进的保护/安全功能

  • 原方和副方欠压保护(UVLO)与故障反馈
  • 采用VCESAT监控和故障反馈的短路保护
  • 高级软关断(ASSD)

完全符合各项安规要求

  • 产品100%进行局部放电测试
  • 产品100%进行6 kV RMS 1秒的HIPOT合规性测试
  • VDE 0884-10加强绝缘认证正在申请中
  • 通过AEC-Q100汽车级认证1级标准

环保封装

  • 无卤素且符合RoHS标准

产品型谱

产品1峰值输出驱动电流
SID1132KQ2.5 A
SID1182KQ8.0 A

注释:

  1. 封装 - K:eSOP-R16B。

产品资料

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