汽车专用可提供加强绝缘的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器
典型应用基本原理图
数据手册
ECAD Models
产品详情
SID11xxKQ是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。该器件利用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其8 A峰值输出驱动电流可直接驱动600 A（典型值）的IGBT和MOSFET，而无需使用外置推动级。对于超出SID11xxKQ的最大输出电流的门极驱动要求，可以在外部添加一个放大器（推动级）。稳定的门极正负电压由一个单绕组隔离电压源提供。
该器件还具有带高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT)、用于原方和副方的欠压保护(UVLO)以及带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多功能，可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。
控制器（PWM和故障）信号兼容5 V CMOS逻辑电平，使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15 V。
应用概述
主要特征
高度集成，外形紧凑
- 独立的门极开通和关断管脚，可提供8 A峰值驱动电流
- 集成的FluxLink技术为原方与副方提供可靠绝缘
- 轨到轨输出电压且稳压
- 副方单电源供电
- 适合600V/650V/750V/1200V IGBT和MOSFET功率开关
- 开关频率最高至75kHz
- 传输延迟时间非常短，仅为260 ns
- ±5 ns传输延迟抖动
- -40°C至125℃工作环境温度
- 具有较高的共模瞬态抗扰性
- 采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装
先进的保护/安全功能
- 原方和副方欠压保护(UVLO)与故障反馈
- 采用VCESAT监控和故障反馈的短路保护
- 高级软关断(ASSD)
完全符合各项安规要求
- 产品100%进行局部放电测试
- 产品100%进行6 kV RMS 1秒的HIPOT合规性测试
- 加强绝缘获VDE 0884-10认证
- 通过AEC-Q100汽车级认证1级标准
环保封装
- 无卤素且符合RoHS标准
产品型谱
| 产品1 | 峰值输出驱动电流 | 最大瞬态隔离电压 |
|---|---|---|
| SID1132KQ | 2.5 A | 8000 V |
| SID1181KQ | 8.0 A | 6000 V |
| SID1182KQ | 8.0 A | 8000 V |
注释：
- 封装 - K:eSOP-R16B。
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