汽车专用可提供加强绝缘的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器 典型应用基本原理图 视频 产品演示 Introduction to SCALE-iDriver 数据手册 SID11x2KQ 数据手册 汽车专用可提供加强绝缘的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器 (2 MB) 下载PDF 查看PDF SID1181KQ 数据手册 最大8A的单通道 600 V / 650 V / 750 V IGBT/MOSFET 可提供加强绝缘的汽车级门极驱动器 (1.56 MB) 下载PDF 查看PDF ECAD Models SID11xxKQ 下载符号,封装和3D模型以加快设计过程。 Find Models 产品详情 SID11xxKQ是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。该器件利用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其8 A峰值输出驱动电流可直接驱动600 A(典型值)的IGBT和MOSFET,而无需使用外置推动级。对于超出SID11xxKQ的最大输出电流的门极驱动要求,可以在外部添加一个放大器(推动级)。稳定的门极正负电压由一个单绕组隔离电压源提供。 该器件还具有带高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT)、用于原方和副方的欠压保护(UVLO)以及带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多功能,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。 控制器(PWM和故障)信号兼容5 V CMOS逻辑电平,使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15 V。 应用概述 主要特征 高度集成,外形紧凑独立的门极开通和关断管脚,可提供8 A峰值驱动电流集成的FluxLink技术为原方与副方提供可靠绝缘轨到轨输出电压且稳压副方单电源供电适合600V/650V/750V/1200V IGBT和MOSFET功率开关开关频率最高至75kHz传输延迟时间非常短,仅为260 ns±5 ns传输延迟抖动-40°C至125℃工作环境温度具有较高的共模瞬态抗扰性采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装先进的保护/安全功能原方和副方欠压保护(UVLO)与故障反馈采用VCESAT监控和故障反馈的短路保护高级软关断(ASSD)完全符合各项安规要求产品100%进行局部放电测试产品100%进行6 kV RMS 1秒的HIPOT合规性测试加强绝缘获VDE 0884-10认证通过AEC-Q100汽车级认证1级标准环保封装无卤素且符合RoHS标准产品型谱 产品1峰值输出驱动电流最大瞬态隔离电压SID1132KQ2.5 A8000 VSID1181KQ8.0 A6000 VSID1182KQ8.0 A8000 V注释:封装 - K:eSOP-R16B。产品资料 AN-1601: Controlling SiC MOSFET Power Switches with SCALE-2 and SCALE-2+ Gate Drivers Cores and SCALE-iDriver Gate Driver ICs General Package Information Product Flyer – SCALE-iDriver for Automotive Use Moisture Sensitivity Level (MSL) Packaging Information Articles and Whitepapers SCALE-iDriver SID1182KQ Gate Driver IC AEC-Q100 Qualification Report PI 线上直播点看 - 电动汽车专用高压电源和门极驱动解决方案 PI 线上直播点看 - 实现安全可靠动力逆变器的汽车专用IC方案 Related Products SIT12xxI 产品图片