適用於汽車應用的高達 8 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，可提供高達 1200 V 阻隔電壓的增強型電流絕緣
典型應用電路圖
產品規格型錄
SID11x2KQ 產品規格型錄
適用於汽車應用的高達 8 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，可提供高達 1200 V 阻隔電壓的增強型電流絕緣
SID1181KQ 產品規格型錄(New!)
高達 8 A 單通道 600 V / 650 V / 750 V IGBT/MOSFET 適用於汽車應用的閘極驅動器，提供增強型電流絕緣
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SID11xxKQ ECAD Models
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產品詳情
SID11xxKQ 是採用 eSOP 封裝的單通道 IGBT 和 MOSFET 驅動器。增強型電流絕緣基於 Power Integrations 創新的固態絕緣體 FluxLink 技術。8 A 峰值輸出驅動電流可讓產品驅動高達 600 A (典型值) 的 IGBT 和MOSFET，而無需任何其他的主動式元件。如果閘極驅動要求超過 SID11xxKQ 的自身能力，可新增一個外部放大器 (升壓器)。同時，使用一個單極隔離式電壓源提供穩定的正電壓和負電壓以供實現閘極控制。
採用進階緩關機 (ASSD) 的短路保護 (DESAT)、一次側和二次側欠壓鎖閉 (UVLO) 以及具有溫度和流程補償輸出阻抗的軌對軌輸出等其他功能，可保證在嚴苛條件下也能安全運作。
控制器 (PWM 和故障) 訊號與 5 V CMOS 邏輯相容，也可以使用外部分壓電阻器將此值調整為 15 V 等級。
應用
產品特色
高度整合、佔用面積小
- 分割輸出，提供高達 8 A 的峰值驅動電流
- 整合式 FluxLink™ 技術，可在一次側與二次側之間提供安全絕緣
- 軌對軌穩定輸出電壓
- 二次側單極供應電壓
- 適用於 600 V/650 V/750 V/1200 V IGBT 和 MOSFET 切換開關
- 高達 75 kHz 的切換頻率
- 傳播延遲時間低至 260 ns
- 傳播延遲頻率抖動 (Jitter) 為 ±5 ns
- 工作環境溫度 -40 °C 至 125 °C
- 高共模暫態耐受性
- eSOP 封裝的安規與間隔距離達 9.5 mm
進階保護/安全功能
- 一次側和二次側欠壓鎖閉 (UVLO) 保護以及故障回授
- 採用 VCESAT 監測和故障回授的短路保護
- 進階緩關機 (ASSD)
絕對安全且符合法規
- 100% 經過生產部分放電測試
- 100% 經過 6 kV 有效值 1 s 條件下的生產 HIPOT 符合性測試
- 增強型絕緣符合 VDE 0884-10 標準
- 已通過 AEC Q-100 汽車級 1 級認證
綠色環保封裝
- 無鹵素且符合 RoHS 標準
產品組合
| 產品1 | 峰值輸出驅動電流 | 最大暫態絕緣電壓 |
|---|---|---|
| SID1132KQ | 2.5 A | 8000 V |
| SID1181KQ | 8.0 A | 6000 V |
| SID1182KQ | 8.0 A | 8000 V |
附註:
- 封裝 - K: eSOP-R16B.
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